近日，2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项—“大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律”项目启动会在北京召开。项目牵头单位清华大学相关领导、项目负责人及各课题负责人、项目咨询专家、科技部高技术中心相关人员等参加了会议。
    “大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律”项目旨在系统掌握氮化物半导体的外延生长、应力缺陷、载流子输运/复合及调控规律，攻克蓝光发光效率限制瓶颈，突破高Al和高In氮化物材料制备难题，实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构，为推动高性能氮化物半导体器件研究和产业化进程提供技术支撑，带动电子材料产业转型升级。
    会议由项目负责人清华大学王新强教授主持，科技部高技术研究发展中心相关人员介绍了“战略性先进电子材料”重点专项2016年度部署和立项情况、专项管理规则流程以及执行过程中常见的问题，对项目管理、质量管控、宣传、经费使用以及咨询专家职能等方面提出了新的要求和建议。
    项目负责人王新强教授详细介绍了项目的立项情况、总体目标和实施方案，课题负责人黎大兵研究员、刘斌教授、孙钱研究员和张进成教授分别汇报了各课题的实施方案。项目咨询专家就项目的实施、任务目标与技术路线提出了意见和建议，希望项目组充分调动科研人员的积极性、主动性和创造性，为我国第三代半导体光电子与微电子器件的发展做出贡献。