2016年11月8日，2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项—“面向下一代移动通讯的GaN基射频器件关键技术及系统应用”项目启动会在深圳市中兴通讯总部召开。深圳市科创委相关领导、项目牵头单位中兴通讯股份有限公司相关领导、项目负责人、课题负责人及参与单位代表、项目咨询专家、科技部高技术中心相关人员等出席了会议。
    “面向下一代移动通讯的GaN基射频器件关键技术及系统应用”项目旨在面向目前全球用于移动通讯基站射频功率器件的市场基本被美欧企业垄断的现状，开展下一代通讯基站功率放大器的主流器件GaNHEMT技术的产品化应用研发，项目的实施将对我国射频功率半导体产业在全球竞争中实现弯道超车具有非常重要的意义
    启动会由中兴通讯股份有限公司无线研究院副院长别业楠主持。中兴通讯股份有限公司副总裁张万春表示在科技部的指导下，中兴通讯将从资源、人力和管理等方面全力支持项目的研发，保证项目顺利实施。
    项目负责人别业楠及各课题负责人介绍了项目的总体情况、实施方案、团队分工和最新进展。项目咨询专家结合当前GaN基射频器件的竞争态势以及中兴通讯的优势，对项目的实施方案、任务目标、技术路线和项目管理等方面提出了意见和建议。最后，科技部高技术研究发展中心相关人员对“战略性先进电子材料”重点专项项目管理、质量管控、宣传、经费使用以及咨询专家职能等方面提出了新的要求和建议。